電磁相容性試驗(量測互感器)
Electromagnetic Compatibility (EMC) Tests (Instrument Transformer)
適用設備:電力量測及計量 / 量測互感器(比流器 CT / 比壓器 VT)之型式試驗
電磁相容性試驗為 IEC 61869-1:2023 §7.2.5 型式試驗(CT / VT 通用),含三部分。RIV 射頻干擾電壓(§7.2.5.1):施預壓 1,5 × Um/√3 持續 30 s、約 10 s 降至 1,1 × Um/√3 維持 30 s 後量測,量測頻率 0,5~2 MHz、射頻背景 ≤ 規定值 50%;合格條件為於 1,1 × Um/√3 時 ≤ 2500 μV(§6.11.5,適用 Um ≥ 123 kV 空氣絕緣變電所,GIS 不適用)。干擾免疫力(§7.2.5.2)逐埠施測、不施於一次端子,含突波 4 kV/2 kV、EFT、ESD、傳導與輻射等 17 項,依 Table 17 等級與 Table 18 判據 A/B/C。傳導發射(§7.2.5.3)依 IEC 61000-6-4。免疫力 / 發射主要適用含電子部位之 EIT / LPIT,適用性依 IEC 61869-2/-3。
安全資訊 — 高風險
RIV 試驗對一次端子施加 1,5 × Um/√3 之預壓(Um ≥ 123 kV 時可達百 kV 級高壓),有電擊與閃絡風險;干擾免疫力試驗對受測互感器之電子部位施加突波 4 kV、快速暫態(EFT)、靜電放電等,須隔離量測迴路與供電。RIV 量測對外界射頻背景敏感,須於屏蔽環境進行。
- 安全眼鏡
- 絕緣手套
- 安全鞋
- 阻燃工作服
- 受測互感器完整含配件、乾燥潔淨、與試驗室同溫(§7.1.4)
- RIV:次級轉換器(如有)不通電;一次端子施屏蔽(球端管段)防雜散放電
- RIV 射頻背景 ≤ 規定值 50%(宜 30%)
- 免疫力試驗逐埠(port-by-port)進行,不施於一次端子
- 大氣條件:溫度 10~40 ℃、壓力 86~106 kPa、相對濕度 45~75%
- RIV 射頻背景超過規定值 50%
- 一次端子未施屏蔽致雜散電暈干擾量測
- GIS 型互感器誤施 RIV(§7.2.5.1 不適用 GIS)
- 免疫力試驗誤施於一次端子
本檢測為 IEC 61869-1:2023 §7.2.5 規定之**型式試驗**(量測互感器通用),含三部分:RIV 射頻干擾電壓(§7.2.5.1)、干擾免疫力(§7.2.5.2,含突波/EFT/ESD 等 17 項)、傳導發射(§7.2.5.3)。RIV 適用設備最高電壓 Um ≥ 123 kV 之空氣絕緣變電所互感器,於 1,1 × Um/√3 時 ≤ 2500 μV(§6.11.5),量測頻率 0,5~2 MHz。免疫力 / 發射試驗主要適用含電子部位之 EIT / LPIT,依產品標準 IEC 61869-2/-3 判定適用性。
試驗接線圖
檢測四階段
型式試驗 (Type Test)
適用型式試驗。證明符合 §6.11 EMC 要求(免疫力 §6.11.2、發射 §6.11.3、RIV §6.11.5)。
**RIV 射頻干擾電壓(§7.2.5.1,適用 Um ≥ 123 kV AIS,GIS 不適用)** 1. 受測互感器完整含配件、乾燥潔淨、與試驗室同溫;次級轉換器不通電。 2. 一次端子施屏蔽(球端管段)防雜散放電;量測迴路依 CISPR TR 18-2,調諧至 0,5~2 MHz。 3. 試驗導體對地阻抗 300 Ω ± 40 Ω(相角 ≤ 20°);射頻背景 ≤ 規定值 50%(宜 30%)。 4. 施加預壓 1,5 × Um/√3 持續 30 s;VT 可提高頻率避免磁路飽和。 5. 約 10 s 內降至 1,1 × Um/√3、維持 30 s 後量測射頻干擾電壓。 **干擾免疫力(§7.2.5.2,含電子部位之 EIT / LPIT)** 6. 逐埠施測(不施於一次端子);依 Table 17 各項試驗等級與適用埠。 7. 主要項目:突波(IEC 61000-4-5,線對地 4 kV / 線對線 2 kV)、電快速暫態 EFT(IEC 61000-4-4,Level 4)、靜電放電 ESD(IEC 61000-4-2,Level 3)、傳導 150 kHz~80 MHz(IEC 61000-4-6,Level 3)、輻射 RF(IEC 61000-4-3,Level 3)、阻尼振盪波(IEC 61000-4-18)、工頻 / 衝擊 / 阻尼磁場(IEC 61000-4-8/-9/-10)等。 8. 評估判據 A / B / C(Table 18):A 全程精度符合;B 量測級暫時退化可自復;C 暫時失能可自復。 **傳導發射(§7.2.5.3)** 9. 傳導發射試驗依 IEC 61000-6-4;宜對完整組裝進行(無電氣部位之子組件可免)。
- 為型式試驗,證明符合 §6.11 EMC 要求
- RIV 適用 Um ≥ 123 kV 空氣絕緣變電所;GIS 型不適用
- RIV ≤ 2500 μV at 1,1 × Um/√3(量測頻率 0,5~2 MHz)
- 預壓 1,5 × Um/√3 30 s → 降 1,1 × Um/√3 30 s 後量測;背景 ≤ 50%
- 免疫力逐埠施測、不施於一次端子;判據 A/B/C(Table 18)
- 免疫力 / 發射主要適用含電子部位之 EIT / LPIT
執行頻率:型式試驗,每一設計 / 系列一次
來源:IEC 61869-1 (2023), Clause 7.2.5.1
試驗設備
- 工頻高壓試驗變壓器(RIV 預壓) — 可施 1,5 × Um/√3 之無電暈高壓源
- RIV 量測組 — 依 CISPR TR 18-2,調諧 0,5~2 MHz,輸入阻抗 300 Ω±40 Ω
- EMC 免疫力試驗產生器組 — 突波 / EFT / ESD / 阻尼振盪波 / 磁場等(IEC 61000-4 系列)
- 傳導發射量測接收機 — 依 IEC 61000-6-4 之 LISN / 量測接收機
相關名詞
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