電纜半導電層電阻率試驗
Cable Semi-conducting Screen Resistivity Test
適用設備：電纜及導線 / 中壓電纜 (6 kV～30 kV)
電纜半導電層電阻率試驗是中壓電纜（6 kV～30 kV）的電氣型式試驗。依 IEC 60502-2 §18.2.10 與 Annex D，於正常運轉最高導體溫度 ±2 K 下量測擠型導體屏與絕緣屏之體積電阻率，老化前後皆須符合上限（導體屏 ≤ 1 000 Ω·m、絕緣屏 ≤ 500 Ω·m），以驗證屏蔽材料之導電均勻性與長期相容性。
安全資訊 — 中風險
本試驗為材料電氣特性量測，於試片上以低壓直流量測半導電層體積電阻率，並於高溫水浴條件下執行，主要風險為高溫灼傷與試片製備之刀具割傷。
- 安全眼鏡
- 防割手套（試片製備）
- 隔熱手套（高溫量測）
- 已備「製成品」試片與「經相容性老化處理（§19.7）」試片各一組
- 試片依 Annex D Figure D.1 製備（導體屏與絕緣屏分別取片）
- 溫度控制於正常運轉最高導體溫度 ±2 K
- 試片製備不符 Annex D 規定
- 溫度無法穩定於規定範圍 ±2 K
須同時量測「製成品」與「老化後」兩組試片，導體屏與絕緣屏分別計算；量測溫度須維持於正常運轉最高導體溫度 ±2 K。
試驗接線圖
檢測四階段
型式試驗 (Type Test)
適用電氣型式試驗（§18.2.10）。量測擠型半導電屏蔽（導體屏與絕緣屏）之體積電阻率，驗證屏蔽材料之導電均勻性與長期相容性。
1. 自「製成品」電纜芯與「經 §19.7 相容性老化處理」電纜芯，各取導體屏與絕緣屏試片。 2. 依 Annex D（Figure D.1）製備試片並裝設電極。 3. 將量測溫度控制於正常運轉最高導體溫度 ±2 K。 4. 依 Annex D 程序量測各試片之體積電阻率。 5. 老化前、老化後分別計算導體屏與絕緣屏之電阻率。 6. 確認皆不超過上限：導體屏 1 000 Ω·m、絕緣屏 500 Ω·m。
- 導體屏電阻率上限 1 000 Ω·m
- 絕緣屏電阻率上限 500 Ω·m
- 老化前（製成品）與老化後（§19.7 相容性處理）皆須符合
- 量測溫度 = 正常運轉最高導體溫度 ±2 K
- 量測程序依 Annex D（normative）
執行頻率：型式試驗，對某型電纜執行一次（依 §18.1 型式核可規則涵蓋同型其他規格）
來源：IEC 60502-2 (2014), Clause 18.2.10.1
出廠試驗 (Routine Test)
不適用半導電層電阻率為電氣型式試驗（§18.2.10），非每一製造長度之例行試驗。
竣工試驗 (Commissioning)
不適用屬工廠材料型式試驗，非現場竣工項目。
維護試驗 (Maintenance)
不適用為一次性型式鑑定，不適用於維護階段。
試驗設備
- 體積電阻率量測裝置 — 依 Annex D 規定之電極配置與量測電路
- 溫度控制箱／水浴 — 可控於正常運轉最高導體溫度 ±2 K
- 試片製備工具 — 依 Annex D Figure D.1 製備導體屏與絕緣屏試片
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